17. 基于sd卡的tft_lcd图像显示¶

在上面章节，我们利用SDRAM做缓存，使用SD卡读写控制器读取SD卡中存储的图像数据，并将图像通过VGA、HDMI显示器显示。本章节中，我们实现基于SD卡的TFT_LCD图像显示。

17.1. 理论学习¶

对于本章节涉及的SD卡相关理论知识，读者可查阅“基于SD卡的VGA图像显示”的理论学习小节；对于本章节涉及的TFT_LCD显示的相关理论知识，读者可查阅“TFT_LCD液晶屏驱动设计与验证”的理论学习小节，此处不再赘述。

17.2. 实战演练¶

17.2.1. 实验目标¶

使用SD卡数据读写控制器读取事先存储在SD卡的图片数据，将读取的图片数据通过SDRAM数据读写控制器暂存在SDRAM芯片中，通过TFT_LCD显示屏将暂存在SDRAM 的图片显示出来。

SD卡内存储图片有两张，两张图片交替显示在TFT_LCD显示屏上，分辨率为480*272。

17.2.2. 硬件资源¶

参见“SD卡数据读写控制”、“TFT_LCD液晶屏驱动设计与验证”章节当然“硬件资源”小节。

17.3. 程序设计¶

17.3.1. 整体说明¶

在程序设计开始之前，我们先来对实验工程进行一个整体说明，让读者了解整个实验工程的框架结构。工程整体框图，具体见图 67‑1；各子功能模块简介，具体见表格 67‑1。

图 67‑1 工程整体框图

表格 67‑1 子功能模块功能描述

模块名称	功能描述
clk_gen	时钟生成模块
data_rd_ctrl	图片数据读控制模块
sd_ctrl	SD卡读写控制器
sdram_top	SDRAM读写控制器
tft_ctrl	TFT_LCD显示驱动模块
sd_tft_pic	顶层模块

本实验工程共调用6个模块(SD卡读写控制器和SDRAM读写控制器均视为单个模块)，由图标可知，模块sd_tft_pic作为实验工程的顶层模块，内部实例化5个子功能模块。

时钟生成模块clk_gen，为各子功能模块、外部SD卡和SDRAM提供工作时钟；图片数据读控制模块data_rd_ctrl，控制SD卡读写控制器读取SD卡内待显示图片的数据读取；SD卡读写控制器sd_ctrl，读取SD卡内待显示图片数据；SDRAM读写控制器sdram_top，控制SDRAM芯片的数据读写操作；TFT_LCD显示驱动模块tft_ctrl，读取SDRAM内缓存的图片数据，并将其显示在TFT_LCD显示屏上。

17.3.1.1. 图片数据预处理¶

图片预处理，读者可参阅“基于SD卡的VGA图像显示”的“图片数据预处理”部分，此处不再赘述，读者要注意的是图片大小为480*272。

17.3.1.2. 时钟生成模块¶

时钟生成模块clk_gen，为各子功能模块、外部SD卡和SDRAM提供工作时钟。输入50MHz板卡晶振时钟信号，输出5路时钟信号c0-c4，时钟频率为100MHz、100MHz(相位偏移)、50MHz、50MHz(相位偏移)、25MHz，前两路时钟信号输入SDRAM读写控制器和SDRAM存储芯片；中间两路输入SD卡读写控制器和SD存储卡；最后一路输入VGA显示驱动模块。

时钟生成模块clk_gen，调动IP和生成，具体生成方法，读者可参阅“快速开发的法宝 — IP核”章节，此处不再赘述。

17.3.1.3. SD卡数据读写控制器¶

SD卡数据读写控制器的相关内容在“SD卡数据读写控制”章节已经做了详细说明，读者若有遗忘可回顾翻阅，此处不再赘述。

17.3.1.4. SDRAM数据读写控制器¶

SDRAM数据读写控制器的相关内容在“SDRAM读写控制器的设计与验证”章节已经做了详细说明，读者若有遗忘可回顾翻阅，此处不再赘述。

17.3.1.5. 图片数据读控制模块¶

图片数据读控制模块的相关内容在“基于SD卡的VGA图像显示”章节已经做了详细说明，读者若有遗忘可回顾翻阅，此处不再赘述。

17.3.1.6. TFT_LCD驱动控制模块¶

TFT_LCD驱动控制模块的相关内容在“TFT_LCD液晶屏驱动设计与验证”章节已经做了详细说明，读者若有遗忘可回顾翻阅，此处不再赘述。

17.3.1.7. 顶层模块¶

讲到这里，实验工程涉及的子功能模块均已介绍完毕，接下来说明整个实验工程的顶层模块。

模块框图

顶层模块将各子功能模块实例化其中，连接各自对应信号，顶层模块模块框图如所图 67‑2示。

图 67‑2 顶层模块模块框图

由图可知，顶层模块有输入输出信号共22路，3路输入信号有时钟信号、复位信号、和SD卡传入的主输入从输出信号sd_miso；16路输出信号中有3路输出到SD卡，包括SD卡时钟信号sd_clk、片选信号sd_cs_n和主输出从输入信号sd_mosi； 10路输出到SDRAM，包括时钟信号、使能信号、地址信号和数据信号；6路输出到TFT_LCD驱动控制模块，提供行场同步信号、待显示数据、时钟信号和使能信号。

代码编写

顶层模块的代码较为较为简单，只是对各模块进行实例化以及连接各自对应信号，无需波形图的绘制。编写顶层模块参考代码，具体见代码清单 67‑1。

代码清单 67‑1 顶层模块参考代码(sd_tft_pic.v)

module sd_tft_pic
(
input wire sys_clk , //输入工作时钟,频率50MHz
input wire sys_rst_n , //输入复位信号,低电平有效
//SD卡
input wire sd_miso , //主输入从输出信号
output wire sd_clk , //SD卡时钟信号
output wire sd_cs_n , //片选信号
output wire sd_mosi , //主输出从输入信号
//SDRAM
output wire sdram_clk , //SDRAM 芯片时钟
output wire sdram_cke , //SDRAM 时钟有效
output wire sdram_cs_n , //SDRAM 片选
output wire sdram_ras_n , //SDRAM 行有效
output wire sdram_cas_n , //SDRAM 列有效
output wire sdram_we_n , //SDRAM 写有效
output wire [1:0] sdram_ba , //SDRAM Bank地址
output wire [1:0] sdram_dqm , //SDRAM 数据掩码
output wire [12:0] sdram_addr , //SDRAM 行/列地址
inout wire [15:0] sdram_dq , //SDRAM 数据
//TFT接口
output wire [15:0] tft_rgb , //输出像素信息
output wire tft_hs , //输出TFT行同步信号
output wire tft_vs , //输出TFT场同步信号
output wire tft_clk , //输出TFT像素时钟
output wire tft_de , //输出TFT数据使能
output wire tft_bl //输出TFT背光信号
);

////
//\* Parameter and Internal Signal \//
////
//parameter define
parameter H_VALID = 24'd480 ; //行有效数据
parameter V_VALID = 24'd272 ; //列有效数据

//wire define
wire rst_n ; //复位信号
wire clk_100m ; //生成100MHz时钟
wire clk_100m_shift ; //生成100MHz时钟,相位偏移180度
wire clk_50m ; //生成50MHz时钟
wire clk_50m_shift ; //生成50MHz时钟,相位偏移180度
wire clk_9m ; //生成9MHz时钟
wire locked ; //时钟锁定信号
wire sys_init_end ; //系统初始化完成

wire sd_rd_en ; //开始写SD卡数据信号
wire [31:0] sd_rd_addr ; //读数据扇区地址
wire sd_rd_busy ; //读忙信号
wire sd_rd_data_en ; //数据读取有效使能信号
wire [15:0] sd_rd_data ; //读数据
wire sd_init_end ; //SD卡初始化完成信号

wire wr_en ; //sdram_ctrl模块写使能
wire [15:0] wr_data ; //sdram_ctrl模块写数据
wire rd_en ; //sdram_ctrl模块读使能
wire [15:0] rd_data ; //sdram_ctrl模块读数据
wire sdram_init_end ; //SDRAM初始化完成

////
//\* Main Code \//
////
//rdt_n:复位信号,系统复位与时钟锁定取与
assign rst_n = sys_rst_n && locked;
//sys_init_end:系统初始化完成,SD卡和SDRAM均完成初始化
assign sys_init_end = sd_init_end && sdram_init_end;

////
//\* Instantiation \//
////
//------------- clk_gen_inst -------------
clk_gen clk_gen_inst
(
.areset (~sys_rst_n ), //复位信号,高有效
.inclk0 (sys_clk ), //输入系统时钟,50MHz

.c0 (clk_100m ), //生成100MHz时钟
.c1 (clk_100m_shift ), //生成100MHz时钟,相位偏移180度
.c2 (clk_50m ), //生成50MHz时钟
.c3 (clk_50m_shift ), //生成50MHz时钟,相位偏移180度
.c4 (clk_9m ), //生成9MHz时钟
.locked (locked ) //时钟锁定信号
);

//------------- data_rd_ctrl_inst -------------
data_rd_ctrl data_rd_ctrl_inst
(
.sys_clk (clk_50m ), //输入工作时钟,频率50MHz
.sys_rst_n (rst_n & sys_init_end ), //输入复位信号,低电平有效
.rd_busy (sd_rd_busy ), //读操作忙信号

.rd_en (sd_rd_en ), //数据读使能信号
.rd_addr (sd_rd_addr ) //读数据扇区地址
);

//------------- sd_ctrl_inst -------------
sd_ctrl sd_ctrl_inst
(
.sys_clk (clk_50m ), //输入工作时钟,频率50MHz
.sys_clk_shift (clk_50m_shift ), //输入工作时钟,频率50MHz,相位偏移180度
.sys_rst_n (rst_n ), //输入复位信号,低电平有效

.sd_miso (sd_miso ), //主输入从输出信号
.sd_clk (sd_clk ), //SD卡时钟信号
.sd_cs_n (sd_cs_n ), //片选信号
.sd_mosi (sd_mosi ), //主输出从输入信号

.wr_en (1'b0 ), //数据写使能信号
.wr_addr (32'b0 ), //写数据扇区地址
.wr_data (16'b0 ), //写数据
.wr_busy ( ), //写操作忙信号
.wr_req ( ), //写数据请求信号

.rd_en (sd_rd_en ), //数据读使能信号
.rd_addr (sd_rd_addr ), //读数据扇区地址
.rd_busy (sd_rd_busy ), //读操作忙信号
.rd_data_en (sd_rd_data_en ), //读数据标志信号
.rd_data (sd_rd_data ), //读数据

.init_end (sd_init_end ) //SD卡初始化完成信号
);

//------------- sdram_top_inst -------------
sdram_top sdram_top_inst
(
.sys_clk (clk_100m ), //sdram 控制器参考时钟
.clk_out (clk_100m_shift ), //用于输出的相位偏移时钟
.sys_rst_n (rst_n ), //系统复位
//用户写端口
.wr_fifo_wr_clk (clk_50m ), //写端口FIFO: 写时钟
.wr_fifo_wr_req (sd_rd_data_en ), //写端口FIFO: 写使能
.wr_fifo_wr_data (sd_rd_data ), //写端口FIFO: 写数据
.sdram_wr_b_addr (24'd0 ), //写SDRAM的起始地址
.sdram_wr_e_addr (H_VALID*V_VALID), //写SDRAM的结束地址
.wr_burst_len (10'd512 ), //写SDRAM时的数据突发长度
.wr_rst (~rst_n ), //写端口复位: 复位写地址,清空写FIFO
//用户读端口
.rd_fifo_rd_clk (clk_9m ), //读端口FIFO: 读时钟
.rd_fifo_rd_req (rd_en ), //读端口FIFO: 读使能
.rd_fifo_rd_data (rd_data ), //读端口FIFO: 读数据
.sdram_rd_b_addr (24'd0 ), //读SDRAM的起始地址
.sdram_rd_e_addr (H_VALID*V_VALID), //读SDRAM的结束地址
.rd_burst_len (10'd512 ), //从SDRAM中读数据时的突发长度
.rd_fifo_num ( ), //读fifo中的数据量
.rd_rst (~rst_n ), //读端口复位: 复位读地址,清空读FIFO
//用户控制端口
.read_valid (1'b1 ), //SDRAM 读使能
.pingpang_en (1'b0 ), //SDRAM 乒乓操作使能
.init_end (sdram_init_end ), //SDRAM 初始化完成标志
//SDRAM 芯片接口
.sdram_clk (sdram_clk ), //SDRAM 芯片时钟
.sdram_cke (sdram_cke ), //SDRAM 时钟有效
.sdram_cs_n (sdram_cs_n ), //SDRAM 片选
.sdram_ras_n (sdram_ras_n ), //SDRAM 行有效
.sdram_cas_n (sdram_cas_n ), //SDRAM 列有效
.sdram_we_n (sdram_we_n ), //SDRAM 写有效
.sdram_ba (sdram_ba ), //SDRAM Bank地址
.sdram_addr (sdram_addr ), //SDRAM 行/列地址
.sdram_dq (sdram_dq ), //SDRAM 数据
.sdram_dqm (sdram_dqm ) //SDRAM 数据掩码
);

//------------- tft_ctrl_inst -------------
tft_ctrl tft_ctrl_inst
(
.clk_9m (clk_9m ), //输入时钟,频率9MHz
.sys_rst_n (rst_n ), //系统复位,低电平有效
.data_in (rd_data ), //待显示数据

.data_req (rd_en ), //数据请求信号
.rgb_tft (tft_rgb ), //TFT显示数据
.hsync (tft_hs ), //TFT行同步信号
.vsync (tft_vs ), //TFT场同步信号
.tft_clk (tft_clk ), //TFT像素时钟
.tft_de (tft_de ), //TFT数据使能
.tft_bl (tft_bl ) //TFT背光信号
);

endmodule

RTL视图

顶层代码编写完成后，使用Quartus软件对实验工程进行编译，编译通过后查看RTL视图，如图 67‑3所示。RTL视图与实验工程框图一致，各信号连接正确。

图 67‑3 RTL视图

17.4. 上板调试¶

17.4.1. 引脚约束¶

仿真验证通过后，准备上板验证，上板验证之前先要进行引脚约束。工程中各输入输出信号与开发板引脚对应关系如表格 67‑2所示。

表格 67‑2 引脚分配表

信号名	信号类型	对应引脚	备注
sys_clk	Input	E1	时钟
sys_rst_n	Input	M15	复位
sd_miso	input	J16	SD卡主输入从输出信号
sd_clk	output	J12	SD卡时钟信号
sd_cs_n	output	K12	SD卡片选信号
sd_mosi	output	J14	SD卡主输出从输入信号
sdram_clk	Output	R4	SDRAM芯片时钟
sdram_cke	Output	R9	SDRAM时钟有效信号
sdram_cs_n	Output	R12	SDRAM片选信号
sdram_cas_n	Output	R10	SDRAM列地址选通脉冲
sdram_ras_n	Output	R11	SDRAM行地址选通脉冲
sdram_we_n	Output	L9	SDRAM写允许位
sdram_ba[0]	Output	R13	SDRAM的L-Bank地址线
sdram_ba[1]	Output	R14	SDRAM的L-Bank地址线
sdram_addr[0]	Output	P11	SDRAM地址总线
sdram_addr[1]	Output	P14	SDRAM地址总线
sdram_addr[2]	Output	N9	SDRAM地址总线
sdram_addr[3]	Output	N11	SDRAM地址总线
sdram_addr[4]	Output	T14	SDRAM地址总线
sdram_addr[5]	Output	T13	SDRAM地址总线
sdram_addr[6]	Output	T12	SDRAM地址总线
sdram_addr[7]	Output	T11	SDRAM地址总线
sdram_addr[8]	Output	T10	SDRAM地址总线
sdram_addr[9]	Output	P9	SDRAM地址总线
sdram_addr[10]	Output	T15	SDRAM地址总线
sdram_addr[11]	Output	N12	SDRAM地址总线
sdram_addr[12]	Output	M11	SDRAM地址总线
sdram_dqm[0]	Output	M10	SDRAM数据掩码
sdram_dqm[1]	Output	M9	SDRAM数据掩码
sdram_dq[0]	Output	R3	SDRAM数据总线
sdram_dq[1]	Output	T9	SDRAM数据总线
sdram_dq[2]	Output	R5	SDRAM数据总线
sdram_dq[3]	Output	R6	SDRAM数据总线
sdram_dq[4]	Output	R7	SDRAM数据总线
sdram_dq[5]	Output	M8	SDRAM数据总线
sdram_dq[6]	Output	R8	SDRAM数据总线
sdram_dq[7]	Output	N8	SDRAM数据总线
sdram_dq[8]	Output	P8	SDRAM数据总线
sdram_dq[9]	Output	T8	SDRAM数据总线
sdram_dq[10]	Output	T7	SDRAM数据总线
sdram_dq[11]	Output	T6	SDRAM数据总线
sdram_dq[12]	Output	T5	SDRAM数据总线
sdram_dq[13]	Output	T4	SDRAM数据总线
sdram_dq[14]	Output	T3	SDRAM数据总线
sdram_dq[15]	Output	T2	SDRAM数据总线
tft_clk	Output	L2	时钟信号
tft_de	Output	K1	使能信号
tft_bl	Output	L3	背光信号
tft_hs	Output	L1	行同步信号
tft_vs	Output	K2	场同步信号
tft_rgb [15]	Output	G1	RGB色彩信息（红）
tft_rgb [14]	Output	F5	RGB色彩信息（红）
tft_rgb [13]	Output	F3	RGB色彩信息（红）
tft_rgb [12]	Output	F2	RGB色彩信息（红）
tft_rgb [11]	Output	F1	RGB色彩信息（红）
tft_rgb [10]	Output	E5	RGB色彩信息（绿）
tft_rgb [9]	Output	D4	RGB色彩信息（绿）
tft_rgb [8]	Output	J6	RGB色彩信息（绿）
tft_rgb [7]	Output	K6	RGB色彩信息（绿）
tft_rgb [6]	Output	L6	RGB色彩信息（绿）
tft_rgb [5]	Output	J2	RGB色彩信息（绿）
tft_rgb [4]	Output	J1	RGB色彩信息（蓝）
tft_rgb [3]	Output	L4	RGB色彩信息（蓝）
tft_rgb [2]	Output	K5	RGB色彩信息（蓝）
tft_rgb [1]	Output	G5	RGB色彩信息（蓝）
tft_rgb [0]	Output	G2	RGB色彩信息（蓝）