29. SEMC—扩展外部NAND flash¶
本章参考资料：《IMXRT1050RM》（参考手册）以及库帮助文档。
关于NAND flash存储器，请参考前面的“常用存储器介绍-《i.MX1052RT库开发实战指南》”章节，实验中NAND flash芯片的具体参数，请参考其规格书《W29N01HVXINA》来了解。
注意：野火i.MXRT1052系列开发板仅B2B接口的核心板带NAND flash，其它型号的核心板不带NAND flash。
29.1. NAND flash控制原理¶
NAND flash作用类似于电脑的固态硬盘，主要用于存储数据。相同容量NAND flash要比Nor flash便宜很多，NAND flash只能按页读、写，所以在NAND flash中不能执行代码。NAND flash一般容量较大，用于存储大量的数据。本教程配套开发板板载了一块型号为W29N01HVXINA的NAND flash 如所示，容量为1Gbit即128M字节。本章节以它为例进行学习。
图 29‑1NAND flash芯片外观
29.1.1. NAND flash内部结构¶
图 29‑2NAND flash芯片的内部结构框图(摘自《W29N01HVXINA》数据手册)
29.1.1.1. ①NAND flash的信号线¶
图 29‑2标号①处表示的是SDRAM芯片的控制引脚，其说明见表 29‑1。
表 29‑1NAND flash引脚说明
信号线 |
类型 |
说明 |
|---|---|---|
#WP |
I |
写保护 |
ALE |
I |
地址锁存使能 |
#CE |
I |
片选信号，低电平有效 |
#WE |
I |
写入使能，低电平有效 |
RY/#BY |
O |
读忙， |
#RE |
I |
读使能，低电平有效 |
CLE |
I |
时钟使能信号 |
I/O[0-7] |
I/O |
数据输入/输出 |
Vcc |
Supply |
电源引脚 |
Vss |
Supply |
GND 引脚 |
DNU |
未连接的引脚 |
|
N.C |
没有连接 |
根据表 29‑1很容易理解NAND flash各个功能引脚的作用，需要说明的是“#WP”引脚，它用于设置NAND flash的地址寄存器。ALE引脚保持高电平，在WE的上升沿引脚I/O[0-7]的数据将会保存到地址寄存器。
29.1.1.2. ②IO控制单元¶
W29N01HVXINA芯片共有8跟I/O数据线，这8根数据线用于读、写数据，配合地址锁存和命令锁存也用于传输地址和命令。状态寄存器用于保存W29N01HVXINA芯片当前状态信息。
29.1.1.3. ③逻辑控制单元¶
逻辑控制单元与与控制引脚相连，用于控制NAND flash工作状态，参考表 29‑1很容易理解。这里不再介绍。
29.1.1.4. ④控制单元¶
控制单元是NAND flash的核心，它根据IO控制单元和逻辑控制单元完成读写并通过RY/#BY引脚显示当前状态。
29.1.1.5. ⑤存储阵列¶
与SDRAM不同，NAND flash存储空间分为多个“块”，每个数块又分为多个“页”，如图 29‑3所示。
图 29‑3NAND flash存储结构
从图 29‑3可知，W29N01HVXINA芯片存储空间被分成了1024个数据块，每个数据块由64个页组成，每个页大小为2048+64bytes。
“块”是NAND flash擦除操作的最小单位。NAND flash写入之前必须执行擦除，这是因为写入NAND flash时只能将存储单元从“1”变为“0”而不能从“0”变为“1”，写入之前擦除操作就是将所有的存储单元都置1。
“页”，是NAND flash写入操作的最小单位，由于NAND flash只能按页读、写。最初NAND flash数据读、写容易出错，所以为了保证数据的正确行，必须要有对应的检测和纠错机制，从图 29‑3可知每一个页大小为“2048 + 64byte”，多出的64byge就是用来放置数据的校验值。
29.1.2. NAND flash的模式选择¶
NAND flash通过各种信号线状态组合切换不同的工作模式，如表 29‑2所示。
表 29‑241.1.2 Nand-flah模式选择
模式 |
CLE |
ALE |
#CE |
#WE |
#RE |
#WP |
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|
读模式 |
命令写入 |
H |
L |
L |
上升沿 |
H |
X |
地址写入 |
L |
H |
L |
上升沿 |
H |
X |
|
程序擦除模式 |
命令写入 |
H |
L |
L |
上升沿 |
H |
H |
地址写入 |
L |
H |
L |
上升沿 |
H |
H |
|
数据输入 |
L |
L |
L |
上升沿 |
H |
H |
|
顺序读取 |
L |
L |
L |
H |
下降沿 |
X |
|
正在读（读忙） |
X |
X |
X |
X |
H |
X |
|
芯片忙碌（忙） |
X |
X |
X |
X |
X |
H |
|
正在擦除（擦除忙） |
X |
X |
X |
X |
X |
H |
|
写保护 |
X |
X |
X |
X |
X |
L |
|
备用 |
X |
X |
H |
X |
X |
0V/Vcc |
表中的H表示高电平，L表示低电平，X表示任意电平。
29.1.3. NAND flash命令表¶
控制NAND flash需要用到一系列的命令，NAND flash控制引脚决定了NAND flash的模式，控制命令决定NAND flash执行的操作。NAND flash命令表如所示
表 29‑34NAND flash命令表
COMMAND |
CYCLE |
CYCLE |
CYCLE |
CYCLE |
Acceptable during busy |
|---|---|---|---|---|---|
PAGE READ |
00h |
30h |
|||
READ for COPY BACK |
00h |
35h |
|||
READ ID |
90h |
||||
READ STATUS |
70h |
Yes |
|||
RESET |
FFh |
Yes |
|||
PAGE PROGRAM |
80h |
10h |
|||
PROGRAM for COPY BACK |
85h |
10h |
|||
BLOCK ERASE |
60h |
D0h |
|||
RANDOM DATA INPUT*1 |
85h |
||||
RANDOM DATA OUTPUT*1 |
05h |
E0h |
|||
READ PARAMETER PAGE |
ECh |
下面简要介绍几个常用的命令如下：
29.1.3.1. 页读命令¶
当设备开机时，“00h”命令被锁定到命令寄存器。因此，程序中只需发送地址然后发送“30h”命令进行设备的初始读取。当然也可以按照完整的“页”读流程，首先发送“00h”命令，之后发送地址，最后发送“30h”命令。发送“30h”命令之后，在tR时间内数据从NAND flash存储区复制到了NAND flash数据缓冲区，之后就可以向单片机输出数据了。详细过程如图 29‑4所示。
图 29‑4页读操作
29.1.3.2. ID读取命令¶
要进入ID模式首先要向nannd-flash发送“90h”命令。进入ID模式之后根据输地址不同后面的读ID命令将会有所不同，如图 29‑5所示。
图 29‑5读ID
从图 29‑5可以看出，进入ID模式后输入地址“00h”，等待tWHR时间后就可以输出生产商ID，设备ID以及产品特性等等。如表 29‑4所示。
表 29‑4器件ID
Byte |
Byte1 |
Byte2 |
Byte3 |
Byte4 |
Byte5 |
|---|---|---|---|---|---|
W29N01HV |
EFh |
F1h |
00h |
95h |
00h |
描述 |
生产商ID |
设备ID |
不支持 |
存储信息 |
退出ID模式 |
29.1.3.3. 块擦除命令¶
nand_flash 只能整块擦除，W29N01HVXINA芯片的块大小为（128 + 4）Kbytes。块擦除过程如图 29‑6所示。
图 29‑6块擦除
向nand_flash写入擦除命令“60h”如图 29‑6标号①所示，然后写入要擦除的地址，如②所示。写入要擦除的地址后nand_flash并不会立即执行擦除工作，在#WE的上升沿写入“D0h”命令之后擦除操作才能开始。在擦除过程中RY/#BY为低电平，并且开启擦除之后可以通过发送“70h”命令查看当前擦除状态，如果状态寄存器Bit6为1表示擦除完成。
29.2. nand_flash基本读写测试实验¶
在第23章 SEMC—扩展外部SDRAM我们已经详细介绍了RT1052的SEMC接口，在这里将基于本教程配套开发板讲解SEMC外扩nand_flash。
29.2.1. 硬件设计¶
本书配套开发板外扩SDRAM和外扩nand_flash共用semc接口，两者不能同时使用，为简化程序设计，本章节将不使用外部SDRAM。
nand_flash硬件连接如图 29‑7、图 29‑8所示。
图 29‑7NAND flash硬件连接（1）
图 29‑8NAND flash硬件连接（2）
W29N01HVXINA芯片的片选信号连接到了SEMC接口的SEMC_CSX0引脚，所以使用NAND flash之前要将SEMC_CSX0引脚设置为低电平，如图 29‑8所示标号①所示。W29N01HVXINA芯片数据宽度为8位，只使用到了SEMC接口的SEMC_D[0,7]。
29.2.2. 软件设计¶
29.2.2.1. 编程要点¶
配置SEMC要使用的引脚的MUX复用模式及PAD属性；
配置SEMC外设的时钟来源、分频得到SEMC根时钟（SEMC_CLK_ROOT）；
配置SEMC工作模式；
根据要求初始化nand_flash。
编写nand_flash测试函数，并校验数据的读写。
29.2.2.2. 代码分析¶
29.2.2.2.1. NAND flash配置结构体¶
配置结构体在不同版本的官方SDK中有所不同，我们重点是讲解配置结构体的各个配置项的作用，如代码清单 29‑1所示。
1 2 3 4 5 6 | /*NAND Flash 配置结构体 */
typedef struct _nand_config
{
void *memControlConfig; /*内存控制器配置应分配特定的控制器配置结构指针*/
void *driverBaseAddr; /*驱动基地址. */
} nand_config_t;
|
该结构体只有两个void*类型的指针，根据注释memControlConfig指针用于指向控制器配置结构体，指针driverBaseAddr用于指向驱动的基地址。在本程序中“控制器配置结构体”指的是SEMC nand_flash配置结构体， “驱动的基地址”指的是SEMC基地址。
SEMC nand_flash存储器配置结构体
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 | /* SEMC NAND Flash 配置结构体 */
typedef struct _semc_mem_nand_config
{
semc_nand_config_t *semcNandConfig; /*控制器配置结构体. */
uint32_t clkSrc_Hz; /*同步时钟频率*/
delay_us delayUS; /*外部提供的延时函数 */
nand_onfi_version_t onfiVersion; /*仅支持onfi nand flash */
uint8_t readyCheckOption; /*仅支持onfi nand flash */
nand_ecc_check_type_t eccCheckType; /*选择校验类型*/
} semc_mem_nand_config_t;
|
结构体讲解如下：
semc_nand_config_t，这是另外一配置结构体，它会详细配置SEMC NAND接口，稍后会详细介绍。
clkSrc_Hz，同步时钟频率，nand_flash不使用同步时钟，忽略该选项即可。
delayUS，nand_flash需要用到延时函数，该选项为nand_flash提供一个延时函数。
onfiVersion，选择nand_flash类型，当前仅支持onfi nand flash。
readyCheckOption，选择nand_flash就绪标志位，我可以通过状态寄存器或者R/B#信号引脚检测nand_flash是否就绪，可选内容在枚举类型”nand_ready_check_option_t”中列出，我们根据需要选择即可。
eccCheckType，设置校验类型，在nand_flash的每一页都有一块多出的空间，它用于存储校验码，而该选项就是用于选择采用何种校验方式。如果对校验不熟悉，参照官方选择即可。
29.2.2.2.2. SEMC nand_flash配置结构体¶
首先我们梳理一下这几个配置结构体，包含关系为①nand_config_t -> ②semc_mem_nand_config_t->③semc_nand_config_t。下面将会简单讲解semc_nand_config_t结构体，如代码清单 29‑3所示。
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 | typedef struct _semc_nand_config
{
semc_iomux_pin cePinMux; /*选择片选引脚*/
uint32_t axiAddress; /*设置XAI内存映射基地址*/
uint32_t axiMemsize_kbytes; /*AXI接口flash大小 */
uint32_t ipgAddress; /*IPG nand基地址 . */
uint32_t ipgMemsize_kbytes; /*IPG nand空间大小，单位K字节 */
semc_rdy_polarity_t rdyactivePolarity; /*就绪信号极性*/
bool edoModeEnabled; /*使能EDO模式*/
semc_nand_column_bit_num_t columnAddrBitNum; /*列地址位数*/
semc_nand_address_option_t arrayAddrOption; /*地址选择*/
sem_nand_burst_len_t burstLen; /*突发长度*/
smec_port_size_t portSize; /*接口位宽*/
semc_nand_timing_config_t *timingConfig; /*SEMC nand时序配置*/
} semc_nand_config_t;
|
semc_nand_config_t结构体用于设置SEMC nand_flash接口，我们掌握常用的配置，其他参照官方SDK配置即可。semc_nand_config_t结构体讲解如下：
cePinMux，设置片选引脚，根据原理图可知，nand_flash的片选引脚连接到MUXCS0，配置时选择相应的引脚即可。
axiAddress，XAI内存映射基地址，如果使用XAI映射nand_flash到内部地址空间，则该配置项用于设置映射的基地址，本实验不使用XAI内存映射。
axiMemsize_kbytes，如果使用XAI，该配置项用于设置映射的空间大小（单位：K字节），这个大小应不小于nnad_flash实际大小。
ipgAddress，设置IPG nand_flash基地址，默认设置为0即可。
ipgMemsize_kbytes，该配置项用于IPG nand的空间大小（单位：K字节），这个大小应不小于nand_flash实际大小。
rdyactivePolarity，就绪信号极性
edoModeEnabled，是否开启EDO模式，使用nand_flash时默认不开启。
columnAddrBitNum，列地址位数。
arrayAddrOption，列地址选择。
burstLen，突发数据长度。
portSize，选择nand_flash数据宽度，常用的有8位或16位。
timingConfig，SEMC nand时序配置.
29.2.2.2.3. nand_flash初始化函数¶
nand_flash初始化函数主要内容包括初始化nand_flash使用的外部引脚并初始化SEMC接口如所示。
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 | void BOARD_InitNand(void)
{
semc_config_t config;
/**************第一部分***************/
/*初始化nand_flash相关引脚*/
NAND_IOMUXC_MUX_Config();
NAND_IOMUXC_PAD_Config();
/**************第二部分**************/
/* 参数置零 */
memset(&config, 0, sizeof(semc_config_t));
/* 初始化SEMC. */
SEMC_GetDefaultConfig(&config);
SEMC_Init(SEMC, &config);
/**************第三部分***************/
/* 为NAND闪存控制器使用设置SEMC时钟源 */
semcMemConfig.clkSrc_Hz = EXAMPLE_SEMC_CLK_FREQ;
}
|
nand_flash初始化函数比较简单，结合代码讲解如下：
第一部分，初始化nand_flash使用的外部引脚，
第二部分，使用默认的SECM配置参数初始化SEMC接口。
第三部分，使用函数EXAMPLE_SEMC_CLK_FREQ获取SEMC接口的始终频率，并保存到semcMemConfig结构体中，为下一步的初始化做准备。
初始化配置结构体
Nand_flash相关初始化结构体共有3个，和其他外设初始化类似，我们首先配置初始化结构体然后调用外设初始化函数。配置完成的初始化结构体如代码清单 29‑5所示。
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 | /****************第一部分************************/
semc_nand_config_t semcNandConfig = {
.cePinMux = kSEMC_MUXCSX0, /*!< 设置片选 */
.axiAddress = EXAMPLE_SEMC_NAND_AXI_START_ADDRESS, /*基地址 */
/*!< AXI接口flash大小 8*1024*2*1024*1024 = 16Gb. */
.axiMemsize_kbytes = 2 * 1024 * 1024,
/*The base address. */
.ipgAddress = EXAMPLE_SEMC_NAND_IPG_START_ADDRESS,
/*!< IPG接口flash大小 8*1024*2*1024*1024 = 16Gb. */
.ipgMemsize_kbytes = 2 * 1024 * 1024,
.rdyactivePolarity = kSEMC_RdyActiveLow, /*RDY极性 */
.arrayAddrOption = kSEMC_NandAddrOption_5byte_CA2RA3,
.edoModeEnabled = false, /* 地址模式 */
.columnAddrBitNum = kSEMC_NandColum_12bit,
.burstLen = kSEMC_Nand_BurstLen1,/*突发长度 */
.portSize = kSEMC_PortSize8Bit, /*接口位宽 */
.timingConfig = NULL,
};
/****************第二部分************************/
semc_mem_nand_config_t semcMemConfig = {
.semcNandConfig = &semcNandConfig,/*控制器配置结构体. */
.delayUS = delayUs, /*外部提供的延时函数 */
.onfiVersion = kNandOnfiVersion_1p0,/*仅支持onfi nand flash */
.readyCheckOption = kNandReadyCheckOption_SR,/*仅支onfinand flash */
.eccCheckType = kNandEccCheckType_DeviceECC,/*选择校验类型*/
};
/****************第三部分************************/
nand_config_t nandConfig = {
/*内存控制器配置应分配特定的控制器配置结构指针*/
.memControlConfig = (void *)&semcMemConfig,
.driverBaseAddr = (void *)EXAMPLE_SEMC, /*驱动基地址. */
};
|
代码中三部分分别配置了三个初始化结构体，需要配置的nand_flash配置项包含在这三个结构体中，之后调用nand_flash初始化函数即可完成初始化。
29.2.2.2.4. nand_flash 读写测试函数¶
测试函数中首先使用nand_flash配置结构体初始化nand_flash，初始化完成后执行nand_flash块擦除、页读写等操作。如代码清单 29‑6所示。
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 | void nand_flash_test(void)
{
status_t status;
char Manufacturer[12];
PRINTF("\r\nNAND Flash测试程序!\r\n");
/************************第一部分******************************/
PRINTF("\r\nNAND Flash初始化!\r\n");
status = Nand_Flash_Init(&nandConfig, &nandHandle);
if (status != kStatus_Success)
{
PRINTF("\r\nNAND Flash初始化失败!\r\n");
PRINTF("\r\n error code: %d \r\n", status);
ErrorHandler();
}
PRINTF("\r\nNAND Flash初始化成功!\r\n");
/************************第二部分******************************/
//读取ID
PRINTF("\r\nNAND FlashID:0x%x\r\n", NAND_ReadID());
memset(Manufacturer, 0, 12);
strncpy(Manufacturer, (const char *)s_nandDeviceManufacturerList\
[nandHandle.vendorType], 8);
PRINTF("\r\nNAND Flash 厂商：%s\r\n", Manufacturer);
PRINTF("\r\nNAND Flash每页数据区域大小：%d字节\r\n", \
nandHandle.bytesInPageDataArea);
PRINTF("\r\nNAND Flash每页备用区域大小：%d字节\r\n", \
nandHandle.bytesInPageSpareArea);
PRINTF("\r\nNAND Flash每一块包含的页数：%d页\r\n", \
nandHandle.pagesInBlock);
PRINTF("\r\nNAND Flash每一层包含的页数：%d页\r\n", \
nandHandle.blocksInPlane);
PRINTF("\r\nNAND Flash设备包含层数：%d层\r\n", \
nandHandle.planesInDevice);
//PRINTF("\r\n***NAND Flash ID：%d\r\n",nandHandle.JEDECid);
// SEMC->IPCR1 = 1;
/************************第三部分******************************/
/* Erase Block */
PRINTF("\r\nNAND Flash Erase擦除第一个块!\r\n");
status = Nand_Flash_Erase_Block(&nandHandle, 0);
if (status != kStatus_Success)
{
PRINTF("\r\nNAND Flash擦除块失败!\r\n");
ErrorHandler();
}
/* Read and check if it is blank. */
PRINTF("\r\nNAND Flash擦除校验!\r\n");
for (uint32_t pageIndex = 0; pageIndex < nandHandle.pagesInBlock;\
pageIndex++)
{
/************************第四部分******************************/
status = Nand_Flash_Read_Page(&nandHandle, pageIndex, \
mem_readBuffer, nandHandle.bytesInPageDataArea);
if (status != kStatus_Success)
{
PRINTF("\r\nNAND Flash读取页失败!\r\n");
ErrorHandler();
}
for (uint32_t bytesIndex = 0; bytesIndex < \
nandHandle.bytesInPageDataArea; bytesIndex++)
{
if (mem_readBuffer[bytesIndex] != 0xFF)
{
PRINTF("\r\nNAND Flash擦除块失败!\r\n");
ErrorHandler();
}
}
}
PRINTF("\r\nNAND Flash擦除块成功!\r\n");
/***********************第五部分*****************************/
/* Program the page data. */
PRINTF("\r\nNAND Flash页写入!\r\n");
/* Initialize the write buffers. */
memset(mem_writeBuffer, 0xaa, sizeof(mem_writeBuffer));
status = Nand_Flash_Page_Program(&nandHandle, 0, mem_writeBuffer,\
nandHandle.bytesInPageDataArea);
if (status != kStatus_Success)
{
PRINTF("\r\nNAND Flash页写入失败!\r\n");
ErrorHandler();
}
/*Read page data and check if the data read is equal to the data programed*/
PRINTF("\r\nNAND Flash页读取!\r\n");
status = Nand_Flash_Read_Page(&nandHandle, 0, mem_readBuffer,\
nandHandle.bytesInPageDataArea);
if (status != kStatus_Success)
{
PRINTF("\r\nNAND Flash页读取失败!\r\n");
ErrorHandler();
}
if (memcmp(mem_writeBuffer, mem_readBuffer,\
nandHandle.bytesInPageDataArea) != 0)
{
PRINTF("\r\nNAND Flash页读取失败!\r\n");
ErrorHandler();
}
PRINTF("\r\nNAND Flash页读写成功!\r\n");
}
|
测试函数函数代码较长，不过各部分功能清晰，很容易理解，结合代码各部分讲解如下：
第一部分，初始化nand_flash，nand_flash初始化函数Nand_Flash_Init共有两个参数，一个是我们设置好的nand_flash配置结构体，它用于提供nand_flash的配置参数。另外一个是nand_flash句柄，用于获取nand_flash信息，nand_flash句柄如代码清单 29‑7所示。
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 | typedef struct _nand_handle
{
/*------------用于通用nand_flash控制器操作的常用参数 ----------*/
void *driverBaseAddr; /*驱动基地址*/
uint8_t vendorType; /*!< vendor type */
uint32_t bytesInPageDataArea; /*页大小*/
uint32_t bytesInPageSpareArea; /*页备用区域大小*/
uint32_t pagesInBlock; /*一块包含多少个页 */
uint32_t blocksInPlane; /*一层包含多少块 */
uint32_t planesInDevice; /*一片Flash 包含多少层*/
/*------------用于特定nand_flash ----------*/
void *deviceSpecific;/*!< 特定控制参数 */
} nand_handle_t;
|
第二部分，输出nand_flash句柄得到的nand_flash信息。
第三部分，使用Nand_Flash_Erase_Block函数擦除一个数据块，函数共有两个参数，第一个是初始化nand_flsh时得到的nand_flash句柄，第二个是nand_flash块编号。擦除成功后，在第四部分进行校验，检查擦除是否正确。
第四部分，校验nand_flash块擦除是否成功。
第五部分，进行页写入和页读取并校验读、写数据是否一致。页写入函数如代码清单 29‑8所示。
1 2 3 4 | status_t Nand_Flash_Page_Program(nand_handle_t *handle,//nand_flash句柄
uint32_t pageIndex, //页编号
uint8_t *src, //要写入的数据缓冲区
uint32_t length) //要写入的数据长度
|
页读取函数与页写入函数的参数一致，不同的是第三个参数用于指定读取得到的数据保存位置。
29.2.2.2.5. Main函数¶
初始化函数和测试函数编写完成之后main函数的编写就非常简单了，直接调用初始化函数和测试函数即可，如代码清单29‑9所示。
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 | int main(void)
{
/*------------以下省略系统初始化相关代码 ----------*/
/* 初始化LED */
LED_GPIO_Config();
/* 初始化nand相关接口 */
BOARD_InitNand();
/* 打印系统时钟 */
/*-----------一下省略系统时钟输出相关代码-------------*/
/* nandflash读写测试 */
nand_flash_test();
while(1)
{
}
}
|
在main函数中调用BOARD_InitNand函数初始化端口然后调用函数nand_flash_test初始化nand_flash并测试nand_flash基本读、写、擦除功能。
29.2.2.3. 下载验证¶
因nand_flash与外部SDRAM共用semc接口所以两者不能同时使用，为简化程序设计，配套nand_flash例程中不使用nand_flash，用到SDRAM的工程版本均不能使用。
保证开发板相关硬件连接正确，用USB线连接开发板“USB TO UART”接口跟电脑，在电脑端打开串口调试助手，把编译好的程序下载到开发板。程序运行后正常情况下串口会输出nand_flash测试结果，如图 29‑9所示。
图 29‑9程序输出结果